在非易失性存储器之间的直接数据处理可以实现面积和节能计算，而不像单独处理和内存单元之间的独立性能；在现代计算机中，这些单元之间的重复数据传输代表了一个基本的性能限制。铁电体中的空间移动导电域壁可以在漏极、栅极和源极之间重定向，作为非易失性晶体管，具有优越的能效、超快的工作和通信速度以及高逻辑/存储密度的功能。

最近，江安全课题组研究人员与悉尼大学、太原理工大学、香港理工大学合作并演示了在LiNbO3界面上使用多级畴壁二极管的内存计算。在低工作电压下，每个类台式存储单元和接触电极之间界面层内的超薄畴可以整流开关电流比超过10^7的二极管畴壁电流，超过了传统使用跨损耗层的p-n结的性能。演示了NOT、NAND和NOR门的逻辑功能，为全铁电畴壁器件中多级存储和计算单元的高密度集成提供了见解。

该项目得到国家重点基础研究发展计划项目、国家自然科学基金项目、教育部创新平台青年科学家项目和澳大利亚研究委员会项目等专项资助。

原文链接，https://doi.org/10.1002/adfm.202207418