为了克服铁电薄膜难以与硅基片兼容的问题，实现外延薄膜从单晶基片到硅衬底上的转移，2018年1月18日，江安全老师邀请了目前国内研究硅基上薄膜生长的专家——西交大的牛刚研究员来我组做了外延薄膜制备的报告，讨论了实现铁电薄膜与硅基结合会遇到的问题及解决方案，并请了技物所孟祥建老师和王建禄老师做了相关的学术交流。

报告的主要内容有：

（1）回顾了目前主流存储器闪存所遇到的瓶颈问题，分析了新型存储器如阻变存储器、磁存储器、相变存储器及传统铁电存储器的工作原理及优缺点。

（2）提出了使用SrTiO3缓冲层，实现钙钛矿铁电薄膜与硅基结合的方案，并介绍了硅上外延SrTiO3薄膜的制备方法。

（3）介绍了目前热门的HfO2薄膜在阻变存储器领域中的应用前景，提出了诱导薄膜中导电细丝在固定位置生成的几个可行方法，以克服这种存储机制不稳定的瓶颈问题。