为了克服铁电薄膜难以与硅基片兼容的问题,实现外延薄膜从单晶基片到硅衬底上的转移,2018118日,江安全老师邀请了目前国内研究硅基上薄膜生长的专家——西交大的牛刚研究员来我组做了外延薄膜制备的报告,讨论了实现铁电薄膜与硅基结合会遇到的问题及解决方案,并请了技物所孟祥建老师和王建禄老师做了相关的学术交流。

报告的主要内容有:

1回顾了目前主流存储器闪存所遇到的瓶颈问题,分析了新型存储器如阻变存储器、磁存储器、相变存储器及传统铁电存储器的工作原理及优缺点。

2提出了使用SrTiO3缓冲层,实现钙钛矿铁电薄膜与硅基结合的方案,并介绍了硅上外延SrTiO3薄膜的制备方法。

3介绍了目前热门的HfO2薄膜在阻变存储器领域中的应用前景,提出了诱导薄膜中导电细丝在固定位置生成的几个可行方法,以克服这种存储机制不稳定的瓶颈问题。