研究方向：1、高密度畴壁存储器工艺研究； 2、全铁电畴壁场效应管研究；3、畴壁存储器存算一体化研究

职位：博士后

邮箱：19112020014@fudan.edu.cn

通讯地址： 上海市杨浦区邯郸路220号复旦大学邯郸校区微电子学院

详细信息

简介：  

孙杰，在读博士，2019年获得安徽大学硕士学位，硕士期间发表SCI 5篇，目前在复旦大学微电子学院从事高密度畴壁存储器的设计开发工作：全铁电畴壁场效应管及其存算一体化研究等。

博士期间主要工作成果：

J. Sun, Y. M. Li, Y. J. Ou,et al, In-memory computing of multilevel ferroelectric domain wall diodes at LiNbO3 interfaces, Advanced Functional Materials, 2022,32,2207418.

J. Sun, Y. M. Li, B. Y. Zhang, et al, High-power LiNbO3 domian-wall nanodevices, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 15, 8691-8698.

曾获荣誉：

2019.6 安徽省优秀毕业生

2019.1 校三好学生标兵

2013，2017-2018 校一等奖学金

2012.9-至今 多次校运会跳高冠军，优秀学生干部，三好学生；本硕博期间均为校篮球队队员。