受本组江安全老师邀请，日本富士通公司高级研究员王文生博士来组进行访问，并做了铁电存储器的开发历史和现状以及IoT的应用的主题报告。
王博士是铁电领域知名科学家，拥有多年铁电电容存储器开发经验。此次访问，本组与王博士在新型铁电阻变存储器的制备工艺领域进行了深入的交流与探讨，为本组新开发的下一代通用铁电畴壁存储器的产业化奠定了基础。
以下为报告摘要：
铁电存储器的开发历史和现状以及IoT的应用
报告人：王文生博士
日本富士通株式会社高级研究员
时间：2019年01月03日（星期四）上午9:30
地点：光华楼东辅楼206会议室
王文生博士，1981年入读西安交通大学，1985年任职于中科院上海硅酸盐研究所。1994年留学日本，获工学博士，现任职于富士通株式会社，2013年升任专家。中科院上海硅酸盐研究所兼职教授。
多年从事半导体芯片研究开发，作为富士通FRAM芯片研发核心人物，也是国际上FRAM工艺专家，带领团队在本领域保持世界顶尖水平。拥有日本美国欧洲等公开专利253 件，授权专利199件，发表论文40余篇。 2014年，作为第一完成者，获得日本政府「科学技术奖（开发部门）」奖，相当于中国的科技进步一等奖。日本政府颁发获奖理由：“成功研发 1.8V 动作，0.18 微米的铁电体存储器，在世界上率先批量生产0.18微米1T1C铁电体存储器，占有世界上90%的市场份额，保证了日本在世界铁电体存储器芯片研究领域的绝对地位”。日本第61 届电气科学技术奖。日本第61届文部科学大臣奖，是在日外国人中第一位获奖人。
