为了克服高密度铁电存储器实用化的缺陷，2017年3月25日，江安全老师请了目前国内做铁电存储器的相关公司负责人，讨论了新型铁电存储器的市场前景、遇到的问题及解决方案，并且江老师做了学术报告。
报告的主要内容有：
（1）回顾了闪存、阻变存储器、磁存储器、相变存储器及传统铁电存储器的工作原理及优缺点。
（2）阐述了新型铁电存储器的优势：写入时间短、非挥发、写入电流小、写入电压低、存储密度大、安全性及可靠性高等。
（3）总结了新型铁电存储器的潜在应用场景及其结构、工作原理。
（4）新型铁电存储器投入大规模生产的可行性分析，包括单晶铌酸锂材料制备（上海光机所、德清华荧、江西云晶等）、铌酸锂单晶薄膜制备（上海光机所、华师大、济南晶正等）
（5）新型铁电存储器存面临的主要困难及解决方案：电滞回线对称化，可尝试通过掺杂减小电荷注入时间从而实现电滞回线对称化。
（6）展望及规划：制备6英寸铌酸锂单晶薄膜、电滞回线对称化且读出电流大于1 μA、实现技术构架（Crossbar、1T1R、1T1C）、存储容量达到64-256 Mbit、读写时间小于100 ns、读写电压小于5 V、读写次数不限、保持时间大于10年。
此次参会人员名单有：
江安全 研究员 复旦大学
刘仁杰 副总裁 上海凯世通半导体股份有限公司
袁庆鹏 技术开发总监 聚长半导体有限公司
史进 董事长 苏州泰森电子科技有限公司
陈永耀 主任工程师 中芯国际集成电路制造上海有限公司
白子龙 博士研究生 复旦大学
张岩 博士研究生 复旦大学
陈东方 博士研究生 复旦大学
郭会珍 硕士研究生 复旦大学