江安全，1969年8月出生，现任复旦大学研究员、博士生导师。
主要经历：
1988年8月-1992年6月：理学学士，兰州大学材料科学系
1994年8月-1999年6月：理学博士，中国科学院固体物理研究所
1999年6月2006年2月：博士后，中科院物理所和剑桥大学
2006年9月－至今：研究员， 复旦大学
研究方向：
1、基于CMOS工艺后端的不挥发薄膜存储器：铁电薄膜存储器（FeRAM），变阻存储器（RRAM），相变存储器(PCRAM)，非挥发闪存(FLASH)等；
2、新型纳米半导体器件的工艺和物理；
3、高介电常数的铁电材料研制及其在微波器件上的应用；
4、铁电液晶和压电、热释电材料等。
荣誉和奖励：
1. 2009/1－2015/12，上海市高校特聘教授（东方学者）；
2. 2013/1-2016/12，国家杰出青年科学基金；
3. 2015－2018，IEDM存储器分会委员和《Scientific Reports》编委。
代表性论文：
[1] A.Q. Jiang, W.P. Geng, P. Lv, et al. Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers. Nat. Mater. (2020).
[2] X. Chai, J. Jiang, Q. Zhang, Q. et al. Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors. Nat Commun11, 2811 (2020).
[3] J. Jiang, Z. L. Bai, Z. H. Chen, L. He, D. W. Zhang, Q. H. Zhang, J. A. Shi, M. H. Park, J. F. Scott, C. S. Hwang and A. Q. Jiang*, “Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories”, Nat. Mater. 17, 49-57 (2018).
[4] Z. L. Bai, X. X. Cheng, D. F. Chen, D. W. Zhang, L. Q. Chen, J. F. Scott, C. S. Hwang*, and A. Q. Jiang*, “Hierarchical Domain Structure and Extremely Large Wall Current in Epitaxial BiFeO3 Thin Films”, Adv. Funct. Mater. 18, 01725 (2018).
[5] An Quan Jiang, Xiang Jian Meng, David Wei Zhang, Min Hyuk Park, Sijung Yoo, Yu Jin Kim, James F. Scott* & Cheol Seong Hwang*, “Giant Dielectric Permittivity in Ferroelectric Thin Films: Domain Wall Ping Pong”, Scientific Reports 5, 14618 (2015).
[6] A.Q. Jiang*, H.J. Lee, C.S. Hwang, and J.F. Scott, “Sub-picosecond processes of ferroelectric domain switching from field and temperature experiments”, Adv. Funct. Mater. 22, 192–199 (2012).
[7] An Quan Jiang*, Mr. Zhi Hui Chen, Mr. Wen Yuan Hui, Prof. Dong Ping Wu, Prof. James F. Scott 'Subpicosecond Domain Switching in Discrete Regions of Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 Thick Films ' Adv. Funct. Mater., 22, 2148–2153 (2012).
[8] A.Q. Jiang*, C. Wang , K.J. Jin , X.B. Liu , J. F. Scott , C.S. Hwang , T. A. Tang , H. B. Lu , and G. Z. Yang, “A Resistive Memory in Semiconducting BiFeO3 Thin-Film Capacitors”, Adv. Mater. 23, 1277–1281 (2011).
[9] A. Q. Jiang, H. J. Lee, G. H. Kim, and C.S. Hwang*, The inlaid Al2O3 tunnel switch for ultra-thin ferroelectric films, Adv. Mater. 21, 2870-2875 (2009).